企业资料未认证
倾佳电子-专业汽车连接器及功率半导体(IGBT单管，IGBT模块，碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN，驱动IC)分销商，聚焦新能源、交通电动化、数字化转型三大方向，致力于服务中国工业电源，电力电子装备及新能源汽车产业链。相较传统汽车，新能源汽车在电驱动单元、电气设备的数量上都有较大的增加，内部动力电流及信息电流错综复杂，特别是高电流、高电压的电驱动系统对连接器的可靠性、体积和电气性能提出更高的要求，这意味着新能源汽车对连接器产品需求量及质量要求都将大幅提升。在新能源汽车中，高压连接器是极其重要的元部件，整车、充电设施上均有应用。整车上高压连接器主要应用场景有：DC、水暖PTC充电机、风暖PTC、直流充电口、动力电机、高压线束、维修开关、逆变器、动力电池、高压箱、电动空调、交流充电口等。在电动汽车中，碳化硅功率器件的应用主要为两个方向，一个用于电机驱动逆变器（电机控制器），另一个用于车载电源系统，主要包括：电源转换系统（车载DC/DC）、车载充电系统（OBC）、车载空调系统（PTC和空压机）等方面。
脱碳已经成为业界的趋势，在我国双碳政策下，也即“碳达峰、碳中和”。新能源、新基建、以及光伏发电逐渐成为瞩目的焦点，在低碳化、电气化、数字化、智能化的趋势下，未来能源世界和数字世界将深度融合发展，能源产业已经进入到数字能源新时代。能源基础设施建设将迎来巨变，数字技术与人工智能技术的融合，数字技术与电力电子技术的融合，源网荷储的融合，倾佳电子持续提供高品质功率半导体新能源汽车连接器，在新能源汽车电控，充电桩，汽车OBC，新能源发电，工商业储能变流器，电动汽车电机主驱，光伏逆变器，储能变流器PCS，工业电源等领域与客户深入合作，持续服务客户的供应链及新产品开发，在数字化与智能化的推动下，新兴的能源系统将不断涌现，新能源的商业模式也将实现闭环，全力支持中国新能源汽车及电力电子工业发展！
近年来，倾佳电子-着力推广国产碳化硅SiC功率器件，国产SiC-MOSFET，国产SiC-MOSFET功率模块，国产氮化镓GaN HEMT以及配套的隔离驱动IC，自举驱动IC,不断在高压汽车电驱系统、高压快充桩、消费电子适配器，数据中心、通讯基站电源、新型电力系统等领域拓展市场。除了车载应用，SiC碳化硅的替代IGBT方案开始在工业的UPS系统（不间断电源）、轨道交通等领域推出。倾佳电子-专业功率半导体(IGBT单管，IGBT模块，碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN)以及新能源汽车连接器分销的元器件在电力电子领域，在功率器件方面发挥重要作用。更小的元胞尺寸、更低的比导通阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是碳化硅MOSFET技术的主要发展趋势，体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。加之碳化硅器件的高功率密度、高结温特性、高频特性要求，也对现有封装技术提出更高的要求。由于碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN在导通损耗和开关损耗方面的出色性能，可以大大降低电力电子方面应用的能耗。
随着汽车越来越智能化，对于连接器在未来的智能汽车上，绝不会仅仅作为一个电连接点进行传输，这个和传统汽车会有非常本质上的区别， 未来的连接器有可能会变成模块化，其功能会随着不同的汽车部位应用场景，功能也会有所不同；同时智能驾驶的出现会让连接对于传输的稳定性变成强制条件，对于电性能的可靠性，以及其他性能都会提到更高一个要求等级；倾佳电子-专业代理的汽车智能互联连接器与线束，新能源汽车连接器，新能源汽车高压连接器与线束，直流充电座，耐高压连接器&插座，碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN引导电源技术转向新的高功率密度和效率、高耐热性能的解决方案，以减少导通损耗和碳排放。在整个能源转换链中，碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN的节能潜力可为实现长期的业界节能目标作出贡献。碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN将推动电力电子器件提高效率、提高密度、缩小尺寸、减轻重量、降低总成本，因此将在很多电力电子应用场景中为能效提升作出贡献。
智能驾驶系统需要将超声波雷达、毫米波雷达、摄像头、激光雷达、网关、VCU、天线、GPS、5G 通信等进行互连。随着高级别ADAS的渗透率快速提升，车载传感器用量增加，数据传输要求(高速高频大数据量)相应提高，智能网联连接器使用量也随之增长。换电连接器有望成为行业标配，一方面因为换电模式电动车渗透率的提升，另一方面对于非换电模式的电动车厂家采用换电方案将实现车电分离，有利于后期电池的升级、维护和回收。未来大量电动车电池淘汰后，有望进入储能领域进行二次利用，建立统一的连接器接口标准成为行业的重点。非补能形式的换电方案的车型将越来越多，未来成为行业标配。
为了提高补能效率，大功率快充成为各车企的研发重点。相较于400V架构，切换800V架构能够使充电时间减少一半。从400V增至 800V对连接器的可靠性、体积和电气性能提出了更高要求，其在机械性能、电气性能、环境性能三方面均将持续提升。升压后，高压连接器将重新选型，增加大功率快充接口及400V到800V的转化接口，带动高压连接器单车价值量上升。要构建800V高压平台，碳化硅功率器件是关键。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅具有出色的耐高压性能，并能有效提高系统的整体效率，达到5%至10%的增幅——即同等电池容量，配备碳化硅器件的汽车续航里程可提高5%到10%。此外，同等性能的碳化硅器件尺寸约为硅器件的1/10，因而它还能降低电驱系统的体积和重量，从而释放更多车辆内部空间。尽管 SiC MOSFET 本身成本较高，但会看到整个电机驱动器系统的价格下降（通过减少布线、无源元件、热管理等），并且与 Si IGBT 系统相比总体上可能更便宜。这种成本节省可能需要在两个应用系统之间进行复杂的设计和成本研究分析，但可能会提高效率并节省成本。
新能源汽车三电内部动力电流及信息电流错综复杂，同时又因汽车领域特殊的安全性要求，对连接器性能侧重点为高电压、大电流、抗干扰等电气性能，并且需要具备机械寿命长、抗振动冲击等长期处于动态工作环境中的良好机械性能。
在新型能源体系的发展趋势场景下，融合数字技术、电力电子技术、热管理技术和储能管理技术，以实现发电的低碳化、用能的电气化和用电的高效化，以及“源、网、荷、储、车”的协同发展。倾佳电子-以技术创新为导向，将不断创新技术和产品，坚定不移与产业和合作伙伴携手，积极参与数字能源产业生态，为客户提供高品质汽车智能互联连接器与线束，新能源汽车连接器，新能源汽车高压连接器与线束，直流充电座，耐高压连接器&插座，创新型车规级互联产品，包括线对板、板对板、输入输出、电源管理和FFC-FPC连接器，涵盖2级充电站和可在30分钟内为EV电池充满电的3级超快速充电站的高能效电源连接器，用于地下无线充电的IP67级密封连接器。以及以技术创新为导向的各类功率半导体器件：车规碳化硅(SiC)MOSFET，大容量RC-IGBT模块，碳化硅(SiC)MOSFET模块，IGBT模块，国产碳化硅(SiC)MOSFET，IPM模块，IGBT单管，混合IGBT单管，三电平IGBT模块，混合IGBT模块，光伏MPPT碳化硅MOSFET，伺服驱动SiC碳化硅MOSFET，逆变焊机国产SiC碳化硅MOSFET，OBC车载SiC碳化硅MOSFET，储能变流器PCS碳化硅MOSFET模块，充电桩电源模块碳化硅MOSFET，国产氮化镓GaN，隔离驱动IC等产品，倾佳电子全面服务于中国新能源汽车行业，新能源汽车电控系统，电力电子装备，新能源汽车充电桩系统，全液冷超充，高功率密度风冷充电模块，液冷充电模块，欧标充电桩，车载DCDC模块，国网三统一充电模块光储变流器，分布式能源、虚拟电厂、智能充电网络、V2X、综合智慧能源、智能微电网智能光储，智能组串式储能等行业应用，倾佳电子为实现零碳发电、零碳数据中心、零碳网络、零碳家庭等新能源发展目标奋斗，从而为实现一个零碳地球做出贡献，迈向数字能源新时代！
基本™PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块-工业级全碳化硅功率模块-倾佳电子专业分销
PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块BMF240R12E2G3 BMF240R12E2C4-倾佳电子专业分销基本™SOT227碳化硅MOSFET模块B2M012120N
适用于液冷充电桩电源的基本™SiC碳化硅MOSFET模块-倾佳电子专业分销
适用于三相三电平维也纳PFC的基本™SiC碳化硅MOSFET模块-倾佳电子专业分销
倾佳电子致力于国产碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在电力电子市场的推广！
碳化硅（SiC）功率模块在工业市场有许多应用。这些模块通常用于提高电能转换和控制系统的效率，同时在高温和高频率环境下表现良好。以下是碳化硅功率模块在工业市场中的一些主要应用：
电机驱动和控制： 碳化硅功率模块可用于工业电机驱动系统，提供高效率和高功率密度，降低能源损耗。
电源和逆变器： 在工业设备中，SiC功率模块可用于设计高效率的电源和逆变器，适用于工业自动化、机床和其他高功率应用。
可再生能源系统： 碳化硅功率模块在太阳能逆变器和风力发电系统中得到广泛应用，提高了能源转换效率。
焊接设备： 在工业焊接系统中，SiC功率模块可以提供更高的功率密度、更高的频率响应和更高的效率。
电力传输与分配： SiC功率模块可用于电力输配系统，提供高效的电力转换和分配。
电气化交通： 在高速列车和电动汽车中，碳化硅功率模块可以提供更高的功率密度，减轻设备重量，提高系统效率。
工业加热系统： 在高温加热系统中，SiC功率模块可以提供更高的温度稳定性和更高的效率。
这些应用表明碳化硅功率模块在工业环境中能够提供更高效、更可靠的解决方案，有助于提高系统性能并减少能源消耗。
BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET两大主要特色：
1.出类拔萃的可靠性：相对竞品较为充足的设计余量来确保大规模制造时的器件可靠性。
BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列击穿电压BV值实测在1700V左右，高于市面主流竞品，击穿电压BV设计余量可以抵御碳化硅衬底外延材料及晶圆流片制程的摆动，能够确保大批量制造时的器件可靠性，这是BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET最关键的品质.
2.可圈可点的器件性能：同规格较小的Crss带来出色的开关性能。
BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET反向传输电容Crss 在市面主流竞品中是比较小的，带来关断损耗Eoff也是市面主流产品中非常出色的，优于部分海外竞品，特别适用于LLC应用，典型应用如充电桩电源模块后级DC-DC应用。
Ciss：输入电容（Ciss＝Cgd＋Cgs） ⇒栅极-漏极和栅极-源极电容之和：它影响延迟时间；Ciss越大，延迟时间越长。BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET 优于主流竞品。
Crss：反向传输电容（Crss＝Cgd） ⇒栅极-漏极电容：Crss越小，漏极电流上升特性越好，这有利于MOSFET的损耗，在开关过程中对切换时间起决定作用，高速驱动需要低Crss。
Coss：输出电容（Coss＝Cgd＋Cds）⇒栅极-漏极和漏极-源极电容之和：它影响关断特性和轻载时的损耗。如果Coss较大，关断dv／dt减小，这有利于噪声。但轻载时的损耗增加。
基本™B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色：
• 比导通电阻降低40%左右
• Qg降低了60%左右
• 开关损耗降低了约30%
• 降低Coss参数，更适合软开关
• 降低Crss，及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串扰行为下误导通风险
• 最大工作结温175℃• HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按结温Tj=175℃通过测试
• 优化栅氧工艺，提高可靠性
• 高可靠性钝化工艺
• 优化终端环设计，降低高温漏电流
• AEC-Q101
基本™推出工业级全碳化硅MOSFET功率模块Pcore™2 E2B，BMF240R12E2G3基于高性能 6英寸晶圆平台设计，在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。
BMF240R12E2G3 BMF240R12E2C4可以替代英飞凌FF4MR12W2M1H_B70，FF6MR12W2M1HP_B11，FF6MR12W2M1H_B11，安森美NXH006P120MNF2，wolfspeed的CAB006A12GM3T，CAB006M12GM3T，CAB006M12GM3，CAB006A12GM3。
产品优势
- 更稳定导通电阻
新型内部构造极大抑制了碳化硅晶体缺陷引起的Rds(on)波动。
- 更优异抗噪特性
宽栅-源电压范围（Vgss: -10V~+25V），及更高阈值电压范围（Vth: 3V~5V），便于栅极驱动设计。
- 更高可靠性
高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高温焊料引入，改善长期高温度冲击循环的CTE失配。
应用领域：燃料电池DCDC、数据中心UPS、大功率快速充电桩等。
倾佳电子专业分销基本™国产车规级碳化硅(SiC)MOSFET，国产车规级AEC-Q101碳化硅(SiC)MOSFET，国产车规级PPAP碳化硅(SiC)MOSFET，全碳化硅MOSFET模块，Easy封装全碳化硅MOSFET模块，62mm封装全碳化硅MOSFET模块，Full SiC Module，SiC MOSFET模块适用于超级充电桩，V2G充电桩，高压柔性直流输电智能电网(HVDC)，空调热泵驱动，机车辅助电源，储能变流器PCS,光伏逆变器,超高频逆变焊机，超高频伺服驱动器，高速电机变频器等，光伏逆变器专用直流升压模块BOOST Module，储能PCS变流器ANPC三电平碳化硅MOSFET模块，光储碳化硅MOSFET。专业分销基本™SiC碳化硅MOSFET模块及分立器件，全力支持中国电力电子工业发展！
汽车级全碳化硅功率模块是BASiC基本™为新能源汽车主逆变器应用需求而研发推出的系列MOSFET功率模块产品，包括Pcore™6汽车级HPD模块、Pcore™2汽车级DCM模块、Pcore™1汽车级TPAK模块、Pcore™2汽车级ED3模块等，采用银烧结技术等BASiC基本™最新的碳化硅 MOSFET 设计生产工艺，综合性能达到国际先进水平，通过提升动力系统逆变器的转换效率，进而提高新能源汽车的能源效率和续航里程。主要产品规格有：BMS800R12HWC4_B02，BMS600R12HWC4_B01，BMS950R12HWC4_B02，BMS700R12HWC4_B01，BMS800R12HLWC4_B02，BMS600R12HLWC4_B01，BMS950R12HLWC4_B02，BMS700R12HLWC4_B01，BMF800R12FC4，BMF600R12FC4，BMF950R08FC4，BMF700R08FC4，BMZ200R12TC4，BMZ250R08TC4
倾佳电子专业分销BASiC基本™碳化硅(SiC)MOSFET专用双通道隔离驱动芯片BTD25350，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，为碳化硅功率器件SiC MOSFET驱动而优化。
BTD25350适用于以下碳化硅功率器件应用场景：
充电桩中后级LLC用SiC MOSFET 方案
光伏储能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案
高频APF，用两电平的三相全桥SiC MOSFET方案
空调压缩机三相全桥SiC MOSFET方案
OBC后级LLC中的SIC MOSFET方案
服务器交流侧图腾柱PFC高频臂GaN或者SiC方案
碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。适用于高性能变换器电路与数字化先进控制、高效率 DC/DC 拓扑与控制，双向 AC/DC、电动汽车车载充电机（OBC）/双向OBC、车载电源、集成化 OBC ，双向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓扑与控制，直流配网的电力电子变换器。
基本™第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发，比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封装的产品基础上，基本™还推出了带有辅助源极的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封装的碳化硅MOSFET器件，以更好地满足客户需求。
基本™第二代碳化硅MOSFET亮点
更低比导通电阻：第二代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案，比导通电阻降低约40%，产品性能显著提升。
更低器件开关损耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss降低，提高器件的抗干扰能力，降低器件在串扰行为下误导通的风险。
更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，产品可靠性表现出色。
更高工作结温：第二代碳化硅MOSFET工作结温达到175°C，提高器件高温工作能力。
碳化硅 (SiC) MOSFET出色的材料特性使得能够设计快速开关单极型器件，替代升级双极型 IGBT （绝缘栅双极晶体管）开关。碳化硅 (SiC) MOSFET替代IGBT可以得到更高的效率、更高的开关频率、更少的散热和节省空间——这些好处反过来也降低了总体系统成本。SiC-MOSFET的Vd-Id特性的导通电阻特性呈线性变化，在低电流时SiC-MOSFET比IGBT具有优势。
与IGBT相比，SiC-MOSFET的开关损耗可以大幅降低。采用硅 IGBT 的电力电子装置有时不得不使用三电平拓扑来优化效率。当改用碳化硅 (SiC) MOSFET时，可以使用简单的两级拓扑。因此所需的功率元件数量实际上减少了一半。这不仅可以降低成本，还可以减少可能发生故障的组件数量。SiC MOSFET 不断改进，并越来越多地加速替代以 Si IGBT 为主的应用。 SiC MOSFET 几乎可用于目前使用 Si IGBT 的任何需要更高效率和更高工作频率的应用。这些应用范围广泛，从太阳能和风能逆变器和电机驱动到感应加热系统和高压 DC/DC 转换器。
随着自动化制造、电动汽车、先进建筑系统和智能电器等行业的发展，对增强这些机电设备的控制、效率和功能的需求也在增长。碳化硅 MOSFET (SiC MOSFET) 的突破重新定义了历史上使用硅 IGBT (Si IGBT) 进行功率逆变的电动机的功能。这项创新扩展了几乎每个行业的电机驱动应用的能力。Si IGBT 因其高电流处理能力、快速开关速度和低成本而历来用于直流至交流电机驱动应用。最重要的是，Si IGBT 具有高额定电压、低电压降、低电导损耗和热阻抗，使其成为制造系统等高功率电机驱动应用的明显选择。然而，Si IGBT 的一个显着缺点是它们非常容易受到热失控的影响。当器件温度不受控制地升高时，就会发生热失控，导致器件发生故障并最终失效。在高电流、电压和工作条件常见的电机驱动应用中，例如电动汽车或制造业，热失控可能是一个重大的设计风险。
电力电子转换器提高开关频率一直是研发索所追求的方向，因为相关组件（特别是磁性元件）可以更小，从而产生小型化优势并节省成本。然而，所有器件的开关损耗都与频率成正比。IGBT 由于“拖尾电流”以及较高的门极电容的充电/放电造成的功率损耗，IGBT 很少在 20KHz 以上运行。SiC MOSFET在更快的开关速度和更低的功率损耗方面提供了巨大的优势。IGBT 经过多年的高度改进，使得实现性能显着改进变得越来越具有挑战性。例如，很难降低总体功率损耗，因为在传统的 IGBT 设计中，降低传导损耗通常会导致开关损耗增加。
作为应对这一设计挑战的解决方案，SiC MOSFET 具有更强的抗热失控能力。碳化硅 的导热性更好，可以实现更好的设备级散热和稳定的工作温度。SiC MOSFET 更适合较温暖的环境条件空间，例如汽车和工业应用。此外，鉴于其导热性，SiC MOSFET 可以消除对额外冷却系统的需求，从而有可能减小总体系统尺寸并降低系统成本。
由于 SiC MOSFET 的工作开关频率比 Si IGBT 高得多，因此它们非常适合需要精确电机控制的应用。高开关频率在自动化制造中至关重要，高精度伺服电机用于工具臂控制、精密焊接和精确物体放置。此外，与 Si IGBT 电机驱动器系统相比，SiC MOSFET 的一个显着优势是它们能够嵌入电机组件中，电机控制器和逆变器嵌入与电机相同的外壳内。使用SiC MOSFET 作为变频器或者伺服驱动功率开关器件的另一个优点是，由于 MOSFET 的线性损耗与负载电流的关系，它可以在所有功率级别保持效率曲线“平坦”。SiC MOSFET变频伺服驱动器的栅极电阻的选择是为了首先避免使用外部输出滤波器，以保护电机免受高 dv/dt 的影响（只有电机电缆长度才会衰减 dv/dt）。 SiC MOSFET变频伺服驱动器相较于IGBT变频伺服驱动器在高开关频率下的巨大效率优越性.
尽管 SiC MOSFET 本身成本较高，但某些应用可能会看到整个电机驱动器系统的价格下降（通过减少布线、无源元件、热管理等），并且与 Si IGBT 系统相比总体上可能更便宜。这种成本节省可能需要在两个应用系统之间进行复杂的设计和成本研究分析，但可能会提高效率并节省成本。基于 SiC 的逆变器使电压高达 800 V 的电气系统能够显着延长电动汽车续航里程并将充电时间缩短一半。
碳化硅 (SiC) MOSFET功率半导体技术代表了电力电子领域的根本性变革。SiC MOSFET 的价格比 Si MOSFET 或 Si IGBT 贵。然而，在评估碳化硅 (SiC) MOSFET提供的整体电力电子系统价值时，需要考虑整个电力电子系统和节能潜力。需要仔细考虑以下电力电子系统节省： 第一降低无源元件成本，无源功率元件的成本在总体BOM成本中占主导地位。提高开关频率提供了一种减小这些器件的尺寸和成本的方法。 第二降低散热要求，使用碳化硅 (SiC) MOSFET可显着降低散热器温度高达 50%，从而缩小散热器尺寸和/或消除风扇，从而降低设备生命周期内的能源成本。 通常的诱惑是在计算价值主张时仅考虑系统的组件和制造成本。在考虑碳化硅 (SiC) MOSFET的在电力电子系统里的价值时，考虑节能非常重要。在电力电子设备的整个生命周期内节省能源成本是碳化硅 (SiC) MOSFET价值主张的一个重要部分。