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BASiC™基半股份一级代理商致力于推动SiC模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块！实现中国电力电子自主可控和产业升级！为什么在储能变流器PCS应用中碳化硅SiC模块全面革掉IGBT模块的命！
储能变流器（Power Conversion System）英文简称PCS，可控制蓄电池的充电和放电过程，进行交直流的变换，在无电网情况下可以直接为交流负荷供电。 储能变流器PCS由DC/AC 双向变流器、控制单元等构成。 根据功率指令的符号及大小控制变流器对电池进行充电或放电，实现对电网有功功率及无功功率的调节。PCS储能变流器，全称Power Conversion System，是储能系统中的关键设备，用于实现储能电池与电网之间的能量转换和双向流动。它能够将直流电转换为交流电或将交流电转换为直流电，以满足电网对储能系统的充放电需求。PCS储能变流器在储能系统中扮演着“桥梁”的角色，连接着储能电池和电网，确保储能系统的高效、稳定运行。
PCS储能变流器的应用场景
1.能量时移：在用户侧储能系统中，PCS储能变流器可以用于能量时移，将白天时段内光伏多余的发电量储存起来，在晚上或者阴雨天气无光伏发电量的时段内再通过PCS释放出来，可以实现光伏发电的最大化自发自用。
2.峰谷套利：在用户侧储能系统中，尤其是执行分时电价的工商业园区，PCS储能变流器可用于进行峰谷套利，通过在电价低廉的时间段进行充电，在电价高昂的时间段进行放电，实现低充高放进行套利，达到节省园区整体用电成本的目的。
3.动态扩容：在电力容量受限的场景，类似电动汽车充电站场景，通过PCS储能变流器配置储能电池来进行动态扩容，充电高峰时候，PCS储能变流器进行放电，提供额外的功率支持；充电低峰时，PCS储能变流器进行充电，储存低价的电能进行备用，既能实现峰谷套利，又能给充电场站进行动态扩容。
4. 微电网系统：在微电网系统中，PCS储能变流器能够实现分布式电源与储能系统的协调控制，提高微电网的稳定性和供电质量。通过PCS储能变流器的精确功率控制和智能能量管理，可以实现微电网系统中电源和负荷的平衡和优化调度。
5. 电力系统调频调峰：在电力系统中，PCS储能变流器可以用于调频调峰，提高电网的稳定性和可靠性。当电网负荷高峰时，PCS储能变流器可以释放储能电池中的能量，为电网提供额外的功率支持；当电网负荷低谷时，PCS储能变流器则可以吸收电网中的多余能量，为储能电池充电，以备后用。
PCS储能变流器的发展趋势
目前在大型储能电站中普遍采用集中式PCS,一台大功率PCS同时控制多簇并联的电池，电池簇间的不均衡问题得不到有效的处理；而组串式PCS，一台中小功率的PCS只控制一簇电池，实现一簇一管理，有效规避电池簇间的木桶效应，提升系统寿命，提高全寿命周期放电容量，组串式PCS规模化应用趋势已见雏形，在工商业储能一体柜中组串式PCS已成为行业主流方案，未来在大型储能电站中也将实现大规模化应用。
随着新能源和智能电网的快速发展以及储能技术的不断进步，PCS储能变流器将面临更大的发展机遇和挑战。未来，PCS储能变流器将朝着更高效、更智能、更灵活的方向发展。
IGBT模块在十几 kHz开关频率中就会表现出严重的局限性，由于IGBT模块尾电流导致损耗较大。使用 SiC-MOSFET模块，开关频率增加，从而减小了滤波器体积。SiC 模块允许在数十和数百 kHz 的频率下运行，开关损耗相对较低，从而显著减少了滤波器和散热热系统的体积。这些技术进步使变流器总体积大幅度减少，效率提高，从而能够在较低温度下运行并可能延长组件的使用寿命。
为了满足PCS储能变流器更高效的需求，使用基本公司碳化硅SiC模块全面取代IGBT模块，可以提升系统效率1%，有效提升客户在PCS生命周期里的收益。SiC模块全面取代IGBT模块，从而将PCS储能变流器开关损耗降低高达 70% 至 80%，在储能变流器PCS应用中碳化硅SiC模块全面革掉IGBT模块的命！
储能变流器（PCS）包括整流器和逆变器，决定着输出电能的质量与特征。并网模式下，在负荷低谷时，储能变流器把电网中的交流电整流成直流电给电池组充电；在负荷高峰时，储能变流器把电池组中的直流电逆变成交流电反送到电网中。因此，在新能源规模化并网的背景下，逆变器的控制技术是构网型储能的关键所在。
跟网型（Grid Following）控制技术和构网型（Grid Forming）控制技术。当前，并网储能逆变器通常采用跟网型控制技术。
构网型变流器技术应运而生，其原理是通过模拟同步发电机特性来提升系统支撑能力。它分为电网跟踪型和电网构造型，构网型变流器通过特定控制方式将变流器端口特性塑造为类似同步发电机特性，具备频率响应、电压调节和过载能力等特点，其直流侧能量来源多样，拓扑结构复杂，包括模块化多电平、两/三电平，主接线方式有角接拓扑和直流拓扑，接入系统方式分为高压直挂和低压升压后接入，储能接入方式也有多种。
跟网型储能的应用主要集中在通过最大功率点跟踪(maximum power point tracking，MPPT)技术向电网注入有功功率。因此，无功电源是很小的，往往接近于零。从整体循环效率的角度来看，跟网型储能更有吸引力。而构网型储能的主要优势之一是调节电网的电压和频率，为了实现这一目标，构网型储能中的有功功率和无功功率参考值不断变化。
从控制的角度来看，跟网型储能的行为可以近似为具有并联高阻抗的受控电流源。与跟网型储能相比，构网型储能可以近似为具有低串联阻抗的电压源。跟网型储能和构网型储能控制的另一个主要区别是，构网型储能可以在没有电网连接的情况下建立自己的参考电压和频率，具有和同步发电机类似的运行特性。因此，构网型储能理论上可以在完全(100%)电力电子设备系统中运行，可适用于弱电网和孤岛，而跟网型储能比较适用于具有强电网支撑的应用场景。由于开关设备的电流限制，构网型储能的电力电子设备容量通常是很大，以满足故障电流通流要求，构网型储能的电力电子设备PCS中SiC模块全面取代IGBT模块，从而将PCS储能变流器开关损耗降低高达 70% 至 80%，在储能变流器PCS应用中碳化硅SiC模块全面革掉IGBT模块的命！
BASiC™基半股份一级代理商致力于推动SiC模块在高压变频器应用中全面取代IGBT模块！
BASiC™基半股份一级代理商致力于推动SiC模块在高性能变频器应用中全面取代IGBT模块！
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BASiC™基半股份一级代理商致力于推动SiC-PIM模块在电梯变频器应用中全面取代IGBT-PIM模块！
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BASiC™基半股份一级代理商致力于推动SiC模块在机车牵引变流器应用中全面取代IGBT模块！
BASiC™基半股份一级代理商致力于推动SiC模块在汽车电驱动应用中全面取代IGBT模块！
构网型储能系统本质上是电压源，它能够自主设定电压参数，输出稳定的电压与频率，提升变流器的电压、频率支撑能力，增强电力系统的稳定性。在频率和惯量支撑方面，构网型储能系统通过控制释放直流侧储能能量，等效为同步机惯量机械能或阻尼能量，进而提供惯量响应与振荡抑制。
构网型储能系统由构网型变流器、升压变压器和电力线路组成。系统容量的变化会直接影响构网型变流器、升压变压器和电力线路的等效阻抗。因此，不能简单地将构网型储能视为理想电压源。
在电压支撑方面，构网型储能系统通过功率同步控制机制，将储能变流器塑造成电压源外特性，可在不依赖外界交流系统的情况下，自行构建交流侧电压幅值与相位，为电力系统提供强大的电压支撑。因此，构网型储能系统则更适合于可再生能源接入比例高的地区。
Grid-Forming构网型储能技术可提高系统强度、增加短路比，从而实现弹性电力系统，实现更高水平的可再生能源发电和可靠的能源运输。Grid-Forming构网型储能系统进一步稳固了电网电压波形和高电能质量，同时减轻了区域间或局部电网波动。
构网型储能技术通过超配PCS方式提高过载能力构建起支撑大电网稳定运行的电压源，可以起到快速调频调压、增加惯量和短路容量支撑、抑制宽频振荡等作用，从而增强电力系统稳定性。
区别于传统跟网型储能，构网型储能能够主动识别电网情况，更精细主动地平抑电网波动。
国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET模块正在替代英飞凌三菱赛米控富士IGBT模块!
基本SiC模块替代Infineon英飞凌IGBT模块，基本SiC模块替代三菱IPM模块，基本SiC模块替代Semikron赛米控IGBT模块，基本SiC模块替代赛米控丹佛斯功率模块，基本SiC模块替代Fuji富士IGBT模块！
使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅电力电子系统！-基半BASiC一级代理商专业分销
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随着铜价暴涨高烧不退，如何降低电感等磁性元件成本将成为电力电子制造商的一大痛点，使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™碳化硅MOSFET单管或者模块替代IGBT单管或模块，可以显著提频降低系统综合成本（电感磁性元件，散热系统，整机重量），电力电子系统的全碳SiC时代，未来已来！基半BASiC一级代理商专业分销国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET！基半BASiC一级代理商全力推进基本公司™国产碳化硅（SiC）MOSFET在电力电子应用中全面取代IGBT!
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基半BASiC一级代理商专业分销国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™2000V系列SiC碳化硅MOSFET-国产替代英飞凌IMYH200R100M1H，IMYH200R075M1H，IMYH200R050M1H，IMYH200R024M1H，IMYH200R012M1H，DF4-19MR20W3M1HF_B11，FF4MR20KM1HP，FF3MR20KM1H，FF5MR20KM1HP，FF5MR20KM1H，FF4MR20KM1H，FF3MR20KM1HP。
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基半BASiC一级代理商致力于国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™国产碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在电力电子市场的推广！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
基半BASiC一级代理商致力于SiC模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块，SiC单管在电力电子应用中全面取代IGBT单管，650V SiC碳化硅MOSFET在电源应用中全面取代Super Junction超结MOSFET!
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IGBT芯片技术不断发展，但是从一代芯片到下一代芯片获得的改进幅度越来越小。这表明IGBT每一代新芯片都越来越接近材料本身的物理极限。SiC MOSFET宽禁带半导体提供了实现半导体总功率损耗的显著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低开关损耗，从而提高开关频率。进一步的，可以优化滤波器组件，相应的损耗会下降，从而全面减少系统损耗。通过采用低电感SiC MOSFET功率模块，与同样封装的Si IGBT模块相比，功率损耗可以降低约70%左右，可以将开关频率提5倍（实现显著的滤波器优化），同时保持最高结温低于最大规定值。
未来随着设备和工艺能力的推进，更小的元胞尺寸、更低的比导通电阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是SiC碳化硅MOSFET技术的主要发展方向，体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。
为此，BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™研发推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相比上一代产品拥有更低比导通电阻、器件开关损耗，以及更高可靠性等优越性能，可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源、伺服驱动、APF/SVG、热泵驱动、工业变频器、逆变焊机、四象限工业变频器等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。
为满足光伏储能领域高电压、大功率的应用需求，BASiC™基半股份国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™基于第二代SiC MOSFET技术平台开发推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高压系列碳化硅MOSFET，产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗、支持更高开关频率运行等特点。
针对新能源汽车的应用需求，BASiC™基半股份国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™研发推出符合AEC-Q101认证和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要应用在车载充电机及汽车空调压缩机驱动中。
B3M040120Z是BASiC™基半股份国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™基于第三代碳化硅MOSFET技术平台开发的最新产品，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相对于上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性方面有更进一步提升。
相较于传统封装形式，BASiC™基半股份PCB嵌入式功率模块单位半导体的通流能力可以提升约40%，或者同样电流输出使用的半导体用量减少1/3。同样功率输出条件下，功率模块物料成本有望降低20%。PCB布局设计相对于传统封装设计更加灵活，大大加快了工程开发的迭代速度和客户交付速度。受到封装限制而难以在传统逆变器中实现的高级电路拓扑，如三电平、IGBT/SiC MOSFET混并等方案，都可以借助BASiC™基半股份PCB嵌入式封装高度灵活性的优势而加速了产业化落地。
根据技术和商业评估，BASiC™基半股份PCB嵌入式功率模块是一项非常有前景的封装技术，有望在在单位功率成本、功率密度、产品交付和迭代速度等方面远远超越传统封装，成为未来电力电子应用的新方向。
BMF240R12E2G3是BASiC™基半股份国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™基于PcoreTM2 E2B封装的1200V 5.5mΩ工业级全碳化硅半桥功率模块，产品采用集成的NTC温度传感器、Press-Fit压接技术以及高封装可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。
B2M040120T和B2M080120T是BASiC™基半股份国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™基于第二代碳化硅MOSFET技术开发的顶部散热内绝缘的塑封半桥模块，主要应用于OBC、空调压缩机和工业电源中。
BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™推出可支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350系列，此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的误开通，还可用于驱动MOSFET、IGBT等功率器件。
为了保持电力电子系统竞争优势，同时也为了使最终用户获得经济效益，一定程度的效率和紧凑性成为每一种电力电子应用功率转换应用的优势所在。随着IGBT技术到达发展瓶颈，加上SiC MOSFET绝对成本持续下降，使用SiC MOSFET替代升级IGBT已经成为各类型电力电子应用的主流趋势。